办公室只剩罗离一人。

    他眉头紧锁，目光凝重的盯着显示屏，不断有业内最新科技资讯从其上划过。

    罗离找遍了所有关于芯片的科学期刊，也没有发现任何机会。

    首先，国内其实并不缺制造通用芯片的能力，

    缺的只是制造高精度、低制程的尖端芯片的工艺和设备！

    在芯片设计和制造中，纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离，在体积大小相同的情况下，7nm工艺的芯片，容纳的晶体管数量几乎是14nm的2倍多！

    晶体管的数量直接决定了处理器性能的强弱，晶体管越多，处理器解析的能力也就越强。

    国内目前完全自主研造的芯片，最多也只能达到90nm级别，单位容纳晶体管数量为2亿多，远远低于平均水平。

    核桃mini采用的是高通660芯片，在制程上为14nm，单位晶体管数量便已经达到37亿多！

    华火前一代性能旗舰——青龙970采用的是10nm工艺，单位晶体管数量为55亿……而青龙980更是采用7nm工艺，晶体管数更是达到了恐怖的70亿！

    在运算能力上，青龙970只支持29.9GB传速，青龙980最高可以支持到34.1GB，这还只是细枝末节，相比之下，两者在综合性能跑分上的差距还要更加显著。

    精度越高的芯片，体积就会更小，相应的功耗和发热也会更小。

    低精度的芯片可以满足重工业生产需要，但绝对无法满足手机工艺！

    手机不同于汽车，内部的空间就那么点，散热首当其冲就是第一大难题，制程越小，所占空间也就越小，散热就会更加优秀。

    高精度芯片相比于低精度芯片，性能上的优势不仅来自于工艺制程，还来源于很多方面，比如芯片架构、芯片缓存、芯片带宽、GPU性能和基带等等。

    其真实差距，堪称云泥之别。

    如果钉子科技找不到解决的方法，将被迫只能采用国产90nm级芯片，这对钉子来说绝对是一个巨大的打击。

    要知道高通835和青龙980一样都是10nm芯片，在在晶体管数量上是国产90nm芯片的三十倍！性能更是差距百倍千倍！

    最重要的是，黑科技手机系统对处理器芯片制程有严格的要求，一代系统只能兼容14nm以下，二代系统只能兼容10nm以下。

    换成90nm，就意味着瓜子手机将彻底舍弃黑科技手机系统，同时被舍弃的还有40％性能的提升、30％功耗的降低、云服务功能、语音助手、各种超级算法和超级优化……

    这特么堪称灭顶之灾啊！

    没有黑科技手机系统加持，瓜子手机连八十线厂商都不如。

    尼玛，资本亡我之心不死！

    “……有没有什么其他办法？”

    问出这个问题，罗离也知道不会有答案。

    根本不可能。

    当资本企业联盟决定实行芯片垄断的那一刻起，就已经堵死了所有生路，除非你能自己搞出来。

    罗离第一反应就是查阅系统。

    打开兑换列表，在一长串密密麻麻的兑换商品种，罗离找到了芯片制造相关的科技。

    排除“虚空系列”、“反物质”、“负相粒子光能”这种一听就买不起的东西，罗离直接将列表拉到最下来。

    然后，他就看到了自己收藏夹中躺了两个多月的3nmEUV光刻机——

    以及后面长达10厘米的“0”……

    罗离：“……”

    3nmEUV光刻机，太特么贵了！

    贵到价格只能用“厘米”来形容。

    就尼玛离谱！

    罗离果断放弃了，这东西绝对不是现阶段可以买得起的！

    然后他将目光锁定到5nm级别……这次是8厘米。

    淦，放弃放弃！

    然后是7nm……

    14nm……

    ……

    全部看完，罗离彻底无奈了。

    以他目前的系统积分，居然只能买得起130nm级别的光刻机！还特么是DUV光源！！

    DUV光刻机和EUV光刻机能比？

    寒碜谁呢？

    DUV光刻机大多采用的是波长为193nm级别的氟化氩准分子激光，或者波长为248nm的氟化氪准分子激光，单次曝光的极限制程在128nm到90nm之间，多次曝光虽然可以将精度提升至最高28nm，但却是以牺牲良品率为代价！

    几乎每重复一次曝光，损坏的几率就增加一倍……靠DUV光刻机想要造出28nm制程芯片，至少需要曝光5次以上！

    先不说你连续曝光五次最终能成功几个，就算成功了，28nm也远远解决不了钉子现在的危机。

    更别提暴增的材料成本了。

    光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂，这东西在国内也无法制造。

    在层层垄断下，光刻胶的进口量就那么多，其他厂商会允许你这么浪费？

    在目前，DUV光刻机受限于精度制程，已经无法满足后来14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了，这时候就需要依靠EUV光刻机。

    EUV光刻机采用的是一种13.5nm的极紫外光，可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。

    用EUV光刻机制造7nm级芯片，只需要曝光一次。

    在现阶段，

    国产芯片仅能满足日常生产生活的基础要求，高端光刻机无法进入国内，高级芯片生产的困难还是很严峻。

    钉子如果想真正解决芯片的问题，第一件需要解决的就是光刻机精度。

    “既然不能制造光刻机，那能不能对现有的光刻机制程进行改进？”

    罗离忽然有了一个大胆的想法。

    众所周知，光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，随着科技的进步，极限光源的波长也在不断缩小，从DUV光源的248nm级数不断突破，一直来到现在的13.5nm极紫光束，进步不可谓不大。

    这也是现在芯片技术能突破个位数的根本原因。

    既然无法从其他资本手中买到高级光刻机，也无法凭空从系统中兑换，那有没有可能通过系统的黑科技技术，将国内现有的光刻机工艺水平提升到世界水平……

    思绪至此，罗离的心跳开始加快。

    对啊，

    改装升级的成本可比从无到有低多了，而且现在国内的芯片工艺也不算太拉胯，要是……

    罗离没有丝毫犹豫，马上打开系统兑换窗口，然后在搜索框中输入文字。

    再度摒弃一系列花里胡哨的科幻风选项，罗离一口气直接将列表拖拽到最底下。

    一行不起眼的小字出现在眼前。

    【“稳态微距束”技术：20万积分；】

    光速浏览完介绍，罗离瞪大了眼睛。

    就你了！

    咬咬牙，直接选择兑换！！

    “唰！”

    强光一闪而过。